Transphorm的SuperGaN亮相

Transphorm的SuperGaN亮相PCIM 2024展会：在大功率系统中超越碳化硅和增强型氮化镓的能力

Transphorm常闭耗尽型（D-Mode）平台带来的更低损耗、更高性能，以及突破性的氮化镓产品创新，使电动汽车、数据中心/人工智能和其他多市场电源系统成为可能

加利福尼亚州戈利塔--(美国商业资讯)--全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，将在2024德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会（PCIM 2024）上展示其超越竞争对手的宽带隙技术。例如，与碳化硅相比，Transphorm的常闭耗尽型SuperGaN^®平台具有更高的电子迁移率，从而降低了交叉损耗，为各种电动车、数据中心/人工智能、基础设施、可再生能源和其他广泛的工业应用提供了更具成本效益、性能更高的解决方案。如需了解更多信息，可在2024年6月11至13日的PCIM展会期间，莅临Transphorm位于7号展厅108展位进行面对面交流 。

Transphorm SuperGaN场效应晶体管正投产于广泛的客户产品，这些产品的功率范围涵盖从低功率的45瓦电源适配器到高功率的7.5千瓦电源装置。其中许多客户产品是首批公开认可的基于氮化镓的同类系统，展示了SuperGaN平台独有的优势。例如，如前所述的用于关键任务数据中心/区块链应用的7.5千瓦液冷电源、功率密度大于82瓦/立方英寸的2.7千瓦服务器CRPS电源（目前所有氮化镓电源系统中最高），以及2.2千瓦和3千瓦机架式1U不间断电源（UPS）。这些设计的成功表明，Transphorm有能力推动氮化镓进入各种应用市场，预计到2028年，氮化镓的总可寻址市场（TAM）将达到80亿美元。

除了实际的客户产品外，Transphorm继续引领技术成果，最近展示了5微秒短路耐受时间、双向四象限开关和1200伏蓝宝石氮化镓器件。

现场演示将包括用于两轮和三轮电动车充电器的Transphorm解决方案，以及适用于可再生能源系统、数据中心等的电源装置。

演讲活动

欢迎莅临展会的Bodo’s Power Systems部分，了解有关Transphorm氮化镓解决方案如何在技术上超越竞争对手，实现跨行业创新的更多信息。

小组讨论：氮化镓宽带隙设计——电力的未来
主讲人：Philip Zuk，商业拓展与市场高级副总裁
日期：6月12日
时间：当地时间下午2:20 – 3:20
地点：7号展厅743展位

一个核心平台，覆盖功率频谱

Transphorm是领先的氮化镓功率半导体公司，其技术的与众不同之处在于：

可制造性：涵盖EPI设计、晶圆工艺和场效应晶体管芯设计的垂直整合。
可设计性：提供知名的行业标准封装和高性能封装，同时与全球客户合作，实现更简单、更快速的系统开发。
可驱动性：提供与硅同等的可驱动器件，并可与成品控制器和驱动器配对，同时只需极少的外部电路。
可靠性：在从低功率到高功率的应用中，经过超过3,000亿小时的现场运行，目前的失效率小于0.05，仍处于行业领先地位。

线下交流

如需在展会期间与Transphorm安排会面，请联系 vipin.bothra@transphormusa.com。

关于 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新，包括设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，实现了超过99%的效率，并将功率密度提高50%，将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于美国加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com，或关注我们的Twitter：@transphormusa以及微信公众号：TransphormGaN氮化镓

SuperGaN标志是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。